- 师资队伍
宋家琪 (副教授)
宋家琪 副教授 硕士生导师
2017年博士毕业于香港大学微电子学专业,同年入职深圳市海思半导体有限公司从事半导体相关研发工作,2018年入职深圳技术大学,现为大学物理教学实验中心副教授,主要研究方向为基于新型半导体的薄膜电子器件的工艺制备与物性分析、磁控溅射装置的工艺开发及其在电子器件领域的应用、柔性平面显示的技术探索。
办公室:B1栋-708
联系电话:0755-23256651
邮箱:songjiaqi@sztu.edu.cn
项目经历:
1. 2022年度广东省本科高校在线开放课程指导委员会研究课题,《大学物理》在线多媒体资源和课程建设,2万元,省级项目,2022/07-2024/06,在研,主持。
2. 2021年教育部产学合作协同育人项目,互联网教育背景下的多媒体教材建设,5万元,横向项目,2021/09-2022/08,在研,主持。
3. 深圳技术大学横向项目,20210202034-基于射频集成电路及版图的多媒体资源建设,14万元,横向项目,2021/09-2023/08,在研,主持。
4. 2019年度深圳技术大学新引进高端人才财政补助科研启动经费,2019010801007-基于InGaZnO的高性能柔性薄膜晶体管,270万元,校级项目,2019/01-2021/12,在研,主持。
5. 2020年青年教师教育教学能力培养提升计划,校级本科教研项目,1万元,2020/05-2021/04,苏彦涛(导师)、宋家琪(青年教师),已结题。
荣誉奖励:
1. 2022年广东省高等学校物理基础课程青年教师讲课比赛,二等奖&最佳教风奖,2022年5月。
2. 首届华南大学生物理实验设计大赛暨第二十二届广东大学生物理实验设计大赛,指导学生荣获二等奖,2021年11月。
3. 深圳技术大学2021年首届大学生物理实验竞赛,指导学生荣获三等奖,2021年8月。
4. 深圳技术大学2020年度教师晶体奖(校级),2021年1月。
5. 深圳技术大学2020年度讲课竞赛,三等奖(校级),2020年12月。
论文成果:
J. Q. Song, Y. Q. Yu, K. L. Zheng, Y. T. Su*, Improved performance of InGaZnO thin-film transistor with Ti incorporation into La2O3 gate dielectric, Journal of the Electron Devices Society, vol. 9, pp. 814, 2021.
J. Q. Song, X. D. Huang, C. Y. Han, Y. Q. Yu, Y. T. Su, P. T. Lai*, Recent Developments of Flexible InGaZnO Thin-Film Transistors, Physica Status Solidi A-Applications and Materials Science, vol. 218, no. 7, pp. 2000527, 2021.
J. Q. Song, L. X. Qian, P. T. Lai, Improved performance of amorphous InGaZnO thin-film transistor by Hf incorporation in La2O3 gate dielectric, IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, vol. 18, no. 3, pp. 333, 2018.
J. Q. Song, L. X. Qian, P. T. Lai, Effects of Ta incorporation in Y2O3 gate dielectric of InGaZnO thin-film transistor, Applied Physics Letters, vol. 109, no. 16, pp. 163504, 2016.
J. Q. Song, C. Y. Han, P. T. Lai, Comparative study of Nb2O5, NbLaO, and La2O3 as gate dielectric of InGaZnO thin-film transistor, IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 63, no. 5, pp. 1928, 2016.
X. D. Huang, Yao Ma, J. Q. Song, P. T. Lai, High-performance amorphous InGaZnO thin-film transistor with ZrLaO gate dielectric fabricated at room temperature, Journal of Display Technology, vol. PP, no. 99, pp. 1-1, 2016.
X. D. Huang, J. Q. Song, P. T. Lai, Positive gate bias and temperature-induced instability of α-InGaZnO thin-film transistor with ZrLaO gate dielectric, IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 63, no. 5, pp. 1899, 2016.
X. D. Huang, J. Q. Song, P. T. Lai, Effects of thermal annealing on La2O3 gate dielectric of InGaZnO thin-film transistor, ECS Solid State Lett., vol. 4, no. 9, pp. Q44, 2015.
C. Y. Han, J. Q. Song, W. M. Tang, C. H. Leung, and P. T. Lai, High-performance organic thin-film transistor by using LaNbO as gate dielectric, Applied Physics Letters, vol. 107, no. 3, pp. 033503, 2015.
J. Q. Song, L. X. Qian, C. H. Leung, and P. T. Lai, Improved electrical characteristics of amorphous InGaZnO thin-film transistor with HfLaO gate dielectric by nitrogen incorporation, Applied Physics Express, vol. 8, no. 6, pp. 066503, 2015.
D. L. Zhang, J. Q. Song, J. B. Zhang, Y. Wang, S. Zhang, X. S. Miao, A facile and rapid synthesis of lead sulfide colloidal quantum dots using in situ generated H2S as the sulfur source, CrystEngComm, vol. 15, no. 13, pp. 2532, 2013.
J. Q. Song, X. D. Huang, P. T. Lai, Comparative study of InGaZnO thin-film transistors with single and dual NbLaO gate dielectric layers, IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits, 2016.
专利申请:
以第一发明人的身份成功申请3项发明专利和2项实用新型专利:
1. 专利号:202011176695.0,柔性InGaZnO薄膜晶体管制备方法;
2. 专利号:202011176681.9,柔性InGaZnO薄膜晶体管及制备方法;
3. 专利号:202011179144.X,柔性InGaZnO薄膜晶体管及制备方法;
4. 专利号:202123083598.X,一种柔性 IGZO 薄膜晶体管(2022年6月获得授权);
5. 专利号:202123087168.5,一种新型氧化物薄膜晶体管器件(2022年5月获得授权)。